2012.10.01
Transphorm, Inc.：
株式会社産業革新機構は既存投資先である日本インター株式会社と共に、米国のGaNパワー半導体ベンチャーTransphorm, Inc.への出資を決定
株式会社産業革新機構（以下「INCJ」）（本社：東京都千代田区丸の内 代表取締役社長：能見公一）は、Transphorm, Inc.（以下「Transphorm社」）へ25百万米ドルの出資を行うことを決定しました。また、INCJによる本出資とあわせて、INCJの既存投資先である日本インター株式会社（以下「日本インター」）（本社：神奈川県秦野市 代表取締役社長：江坂文秀）も、Transphorm, Inc.（以下「Transphorm社」）へ出資することを決定いたしました。
Transphorm社は、University of California, Santa BarbaraのProfessor Umesh Mishraと15年超の窒化ガリウム（以下「GaN」）業界経験を持つDr. Primit Parikhによって創業された、次世代パワー半導体の一つであるGaNのリーディングカンパニーです。また、米国を拠点とするTransphorm社は、創業初期段階から複数の有力な米国のベンチャーキャピタルから出資を受けており、成長が期待されているベンチャーです。
GaNパワー半導体は、電力損失を大幅に低減し、省エネ・環境改善に貢献できることから、次世代パワーデバイスの一つとして有望視され、実用化に向けた取組みが行われています。Transphorm社は競合他社に先駆け、GaNを使用した電力変換製品の製品化を実現し、その販売の拡大に着手しています。
日本インターの株主であるINCJは、本出資による日本インターとTransphorm社との資本・業務提携への支援を通じて、Transphorm社の有する最先端GaNデバイス技術とノウハウと、日本インターの有する製品設計開発販売・量産技術・品質保証サポートにおける実績と信頼性の融合を推進し、成長が見込まれるパワーデバイス市場におけるオープンイノベーションの創出を期待しています。